小編為大家整理了2024年長(zhǎng)沙高新區(qū)功率半導(dǎo)體及集成電路發(fā)展支持政策和獎(jiǎng)補(bǔ)措施詳情如下，看完之后如果還有疑問，或是想要了解更多內(nèi)容，可以直接致電咨詢，政策小編在線解答。
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　　第一條 支持招大引強(qiáng)。對(duì)實(shí)際到位資金額達(dá)到 1 億元（含） 以上的國(guó)內(nèi)外功率半導(dǎo)體及集成電路企業(yè)落戶長(zhǎng)沙高新區(qū)，按  其實(shí)收資本的 2.5%給予一次性獎(jiǎng)勵(lì)，單個(gè)企業(yè)最高 1000 萬元， 獎(jiǎng)勵(lì)金額按照企業(yè)首次達(dá)到上述標(biāo)準(zhǔn)時(shí)的實(shí)收資本進(jìn)行核定， 按 4∶3∶3 比例分 3 年兌現(xiàn)。功率半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域的獨(dú)  角獸企業(yè)、領(lǐng)軍企業(yè)、國(guó)家重大項(xiàng)目承擔(dān)機(jī)構(gòu)等在長(zhǎng)沙高新區(qū)  設(shè)立總部或者建設(shè)重大項(xiàng)目的，按照 “ 一事一議”政策給予支持。國(guó)內(nèi)外知名院校和研究機(jī)構(gòu)來區(qū)設(shè)立創(chuàng)新中心或研究院的，可給予 “一事一議”政策支持。

　　第二條 鼓勵(lì)平臺(tái)招商。每年根據(jù)平臺(tái)招商和產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況， 給予一定資金獎(jiǎng)勵(lì)，每年招商簽約落地園區(qū)的項(xiàng)目達(dá) 10 家（設(shè)計(jì)類企業(yè)研發(fā)設(shè)計(jì)人員不低于 20 人，購地類項(xiàng)目實(shí)際固定資產(chǎn)投資不低于 5000 萬元），則給予 100 萬元獎(jiǎng)勵(lì)，每超過 1 家增加 10 萬元，每個(gè)平臺(tái)當(dāng)年度最高補(bǔ)助不超過 250 萬元。

　　第三條 支持企業(yè)通過并購重組方式落戶到長(zhǎng)沙高新區(qū)。園 區(qū)內(nèi)企業(yè)通過借殼等方式將國(guó)內(nèi)外上市公司主體實(shí)際經(jīng)營(yíng)地址 和工商、稅務(wù)登記關(guān)系轉(zhuǎn)移至長(zhǎng)沙高新區(qū)內(nèi)的，一次性給予 300 萬元獎(jiǎng)勵(lì)。 園區(qū)內(nèi)企業(yè)（即并購方）并購重組（與非關(guān)聯(lián)方并 購重組）境內(nèi)企業(yè)（即被并購方）且并購交易額達(dá)到 2000 萬元 （含）以上的，按照并購交易額的 4‰給予補(bǔ)助，單個(gè)并購項(xiàng)目 當(dāng)年度最高補(bǔ)貼 50 萬元；并購重組（與非關(guān)聯(lián)方并購重組）境 外企業(yè)（即被并購方）且并購交易額在 2000 萬元（含）以上的， 按照并購交易額的 5‰給予補(bǔ)助，單個(gè)并購項(xiàng)目當(dāng)年度最高補(bǔ)貼50 萬元。

　　第四條 支持企業(yè)租房和購房。對(duì) 2022 年 1 月 1 日后注冊(cè) 的、新租賃入駐高新區(qū)的功率半導(dǎo)體及集成電路企業(yè)， 自注冊(cè) 之日起，對(duì)租賃面積 100 平方米以上且不超過 1000 平方米的企 業(yè)（按不超過人均 10 平方米標(biāo)準(zhǔn)補(bǔ)貼），可以連續(xù) 3 年享受房 租補(bǔ)貼（只限房屋租金），每平米補(bǔ)貼不超過 35 元/月。在高 新區(qū)注冊(cè)的功率半導(dǎo)體及集成電路企業(yè)，根據(jù)企業(yè)實(shí)際納稅情 況，對(duì)稅收達(dá) 500 萬元以上的初次購房企業(yè)，第 1 年給予高新 區(qū)財(cái)政當(dāng)年實(shí)得部分 80%產(chǎn)業(yè)資金支持；第 2 年及第 3 年，均以 上年實(shí)繳稅收為基數(shù)，對(duì)新增稅收 200 萬元以上企業(yè)，給予高新區(qū)財(cái)政實(shí)得（含基數(shù)內(nèi)）80%產(chǎn)業(yè)資金支持，總支持額度不超過企業(yè)購房投資的 80%。

　　第五條 支持關(guān)鍵領(lǐng)域企業(yè)規(guī)模化發(fā)展。

　　對(duì)年度營(yíng)收首次突破 5000 萬元、1 億元、5 億元的功率半 導(dǎo)體及集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)類企業(yè)，分別給予企業(yè) 50 萬元、100萬元、200 萬元的一次性獎(jiǎng)勵(lì)，晉級(jí)補(bǔ)差。

　　對(duì)年度營(yíng)收首次突破 1000 萬元、5000 萬元、1 億元、10 億 元及 50 億元的網(wǎng)絡(luò)安全企業(yè)，分別給予企業(yè) 10 萬元、50 萬元、100 萬元、500 萬元及 1000 萬元的一次性獎(jiǎng)勵(lì)，晉級(jí)補(bǔ)差。

　　第六條 支持企業(yè)流片和購買 IP。對(duì)企業(yè)的晶圓（MPW）試 流片、全掩膜（FULL MASK）工程產(chǎn)品首次流片、購買 IP 核費(fèi) 用，分別給予實(shí)際交易額 30%、25%、25%的補(bǔ)助，同一企業(yè)年度補(bǔ)助最高不超過 250 萬元。

　　第七條 鼓勵(lì)企業(yè)資質(zhì)備案。對(duì)列入 “ 國(guó)家鼓勵(lì)的重點(diǎn)集成 電路設(shè)計(jì)企業(yè)” 、 “ 國(guó)家鼓勵(lì)的線寬小于 130 納米（含） 的集 成電路生產(chǎn)企業(yè)或項(xiàng)目”清單的企業(yè)，給予 50 萬元的一次性獎(jiǎng) 勵(lì)。對(duì)產(chǎn)品通過汽車車規(guī)級(jí)芯片認(rèn)證的企業(yè)，給予 100 萬元的一次性獎(jiǎng)勵(lì)。

　　第八條 支持重大技術(shù)裝備首臺(tái)（套）突破。對(duì)當(dāng)年新獲批 省級(jí)首臺(tái)（套）重大技術(shù)裝備，且已實(shí)現(xiàn)銷售的，按照獲批省級(jí)資金的 50%給予獎(jiǎng)勵(lì)，單個(gè)企業(yè)獎(jiǎng)勵(lì)資金最高不超過 100 萬元。

　　第九條 支持創(chuàng)建制造業(yè)創(chuàng)新中心和先進(jìn)產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)平臺(tái)。對(duì)當(dāng)年新獲批國(guó)家級(jí)、省級(jí)制造業(yè)創(chuàng)新中心，分別給予 2000萬元、200 萬元獎(jiǎng)勵(lì)，晉級(jí)補(bǔ)差。鼓勵(lì)產(chǎn)業(yè)龍頭骨干企業(yè)和技術(shù) 優(yōu)勢(shì)單位強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，以股份制方式新組建先進(jìn)產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)平臺(tái)，連續(xù) 3 年每年給予 100 萬元經(jīng)費(fèi)補(bǔ)貼。

　　第十條 支持功率半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域高端人才（團(tuán)隊(duì)） 來區(qū)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)。經(jīng)認(rèn)定后以股權(quán)投資和資金補(bǔ)助結(jié)合的方式可 給予每個(gè)高端人才（團(tuán)隊(duì)）項(xiàng)目最高 500 萬元資金支持，企業(yè) 獲利后，根據(jù)高新區(qū)財(cái)政實(shí)得部分，給予連續(xù) 3 年 100%的支持，同一企業(yè)年度補(bǔ)助最高不超過 500 萬元。

　　第十一條 加大高層次人才獎(jiǎng)補(bǔ)支持。經(jīng)認(rèn)定的功率半導(dǎo)體 及集成電路企業(yè)高級(jí)管理、技術(shù)人才，年度工資薪金收入個(gè)人 所得稅實(shí)繳 1 萬元/年以上的（含），按上一 自然年度個(gè)人所得稅實(shí)繳金額高新區(qū)財(cái)政實(shí)得部分的 100%予以支持。

　　第十二條 加大產(chǎn)業(yè)博士和碩士引才支持。新引進(jìn)在長(zhǎng)沙高 新區(qū)企業(yè)全職工作的全日制博士，給予 40 萬元-60 萬元生活補(bǔ) 貼，在麓谷園區(qū)購房可給予 10 萬元購房補(bǔ)貼。新引進(jìn)在長(zhǎng)沙高 新區(qū)創(chuàng)辦企業(yè)的博士，經(jīng)評(píng)審可給予 30 萬元-100 萬元?jiǎng)?chuàng)業(yè)扶持 資金。 歸集一批辦公場(chǎng)地作為博士創(chuàng)業(yè)孵化基地，為博士初創(chuàng) 企業(yè)提供三年免費(fèi)場(chǎng)所和相關(guān)服務(wù)；對(duì)于特別優(yōu)質(zhì)創(chuàng)業(yè)項(xiàng)目和 創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)，采取 “ 一事一議”的方式，最高給予 1 億元?jiǎng)?chuàng)業(yè)扶 持資金。新引進(jìn)在長(zhǎng)沙高新區(qū)企業(yè)全職工作的碩士，在麓谷園區(qū)內(nèi)購房可給予 3 萬元-5 萬元購房補(bǔ)貼。

　　第十三條 支持培訓(xùn)基地建設(shè)。對(duì)于獲批為市先進(jìn)計(jì)算領(lǐng)域?qū)W生實(shí)訓(xùn)（實(shí)習(xí)）基地的單位，一次性給予實(shí)訓(xùn)基地單位 30 萬元獎(jiǎng)勵(lì)。

　　第十四條 定期組織開展產(chǎn)業(yè)鏈上中下游核心企業(yè)市場(chǎng)對(duì) 接和技術(shù)交流活動(dòng)。支持符合條件的功率半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn) 品納入長(zhǎng)沙市兩型產(chǎn)品目錄。對(duì)企業(yè)采購園區(qū)非關(guān)聯(lián)企業(yè)生產(chǎn) 的材料、芯片、關(guān)鍵零部件和設(shè)備， 以及集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)品和 服務(wù)、封裝測(cè)試服務(wù)，按照實(shí)際采購金額的 5%給予補(bǔ)貼，單個(gè) 企業(yè)年度補(bǔ)助最高不超過 250 萬元。采購后產(chǎn)品必須用于企業(yè)的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)，用于貿(mào)易及物流等環(huán)節(jié)的不予支持。

　　第十五條 支持示范應(yīng)用推廣。支持國(guó)產(chǎn)芯片在 5G、新能源 汽車、智能終端、智能網(wǎng)聯(lián)、北斗等多個(gè)領(lǐng)域的融合應(yīng)用。對(duì) 于入選市示范應(yīng)用項(xiàng)目的，給予示范應(yīng)用項(xiàng)目技術(shù)、產(chǎn)品及服 務(wù)提供商實(shí)際研發(fā)投入 15%的獎(jiǎng)勵(lì)，單個(gè)企業(yè)年度補(bǔ)助最高不超 過 100 萬元。鼓勵(lì)北斗系統(tǒng)、設(shè)備及產(chǎn)品的市場(chǎng)開拓。對(duì)經(jīng)認(rèn) 定的園區(qū)企業(yè)新研制的北斗系統(tǒng)、設(shè)備及產(chǎn)品的首筆訂單，按 銷售收入的 6%進(jìn)行獎(jiǎng)勵(lì)，單個(gè)產(chǎn)品最高不超過 60 萬元。對(duì)經(jīng)認(rèn) 定的園區(qū)企業(yè)生產(chǎn)的北斗系統(tǒng)、設(shè)備及產(chǎn)品，按年度銷售額度的 3%給予補(bǔ)貼，單個(gè)企業(yè)每年最高不超過 150 萬元。

　　第十六條 支持建設(shè)公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)。支持企業(yè)、高校和 科研院所建設(shè)公共 EDA（電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化）技術(shù)服務(wù)、IP 復(fù)用 與 SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）開發(fā)、MPW（多項(xiàng)目晶圓）服務(wù)、集成電路設(shè)計(jì)工具租賃、檢測(cè)及認(rèn)證等公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)。經(jīng)認(rèn)定后，對(duì)當(dāng)年新建的公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)，實(shí)際投入達(dá) 2000 萬元以上的， 按照實(shí)際投資金額的 10%給予補(bǔ)貼，同一平臺(tái)補(bǔ)貼金額最高不超 過 500 萬元；對(duì)經(jīng)認(rèn)定后運(yùn)營(yíng) 2 年以上的集成電路公共服務(wù)平 臺(tái)，按照服務(wù)合同實(shí)際完成額的 10%給予補(bǔ)貼，同一平臺(tái)每年補(bǔ)貼金額最高不超過 200 萬元。

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